論文　GQDとその蛍光強度を変化させる導電性構造の一括描画

レーザー誘起黒鉛化の技術を展開し、中心部の導電性構造と周辺部のグラフェン量子ドット(GQD)を一括描画できることをOptics Express誌に発表しました。GQDは温度によって蛍光強度が変化するため、中心部への電圧印加によるジュール熱で蛍光パターンが変化します。

We expanded our laser-induced graphitization technology and reported in Optics Express that we can simultaneously fabricate conductive structures at the center and graphene quantum dots (GQDs) around them. Since the fluorescence intensity of GQDs changes with temperature, applying a voltage to the central conductive region induces Joule heating, which in turn alters the fluorescence pattern.

K. Tsukada, M. Terakawa, "Laser direct writing of graphene quantum dots encircling conductive structures for stimuli-responsive anti-counterfeiting label," Opt. Express 33, 19479 (2025).